Super cena

Reliability Issues in Ultra-Scaled Flash Memories - Michele Ghidotti

Name: Reliability Issues in Ultra-Scaled Flash Memories - Michele Ghidotti
Brand: OmniScriptum GmbH & Co. KG
Availability: InStock

+ Dodaj do porównania Dodaj do listy zakupowej

Rozmiar

uniwersalny

496,92 zł

/ szt.

Najniższa cena z 30 dni przed obniżką: ~~523,44 zł~~ / szt.-5%

Cena regularna: ~~501,07 zł~~ / szt.-1%

Możesz kupić także poprzez:

Produkt dostępny

Darmowa i szybka dostawa od 89,00 zł

14 dni na łatwy zwrot

Bezpieczne zakupy

Odroczone płatności. Kup teraz, zapłać za 30 dni, jeżeli nie zwrócisz

Kup teraz, zapłać później - 4 kroki

Przy wyborze formy płatności, wybierz PayPo. PayPo - kup teraz, zapłać za 30 dni

PayPo opłaci twój rachunek w sklepie.
Na stronie PayPo sprawdź swoje dane i podaj pesel.

Po otrzymaniu zakupów decydujesz co ci pasuje, a co nie. Możesz zwrócić część albo całość zamówienia - wtedy zmniejszy się też kwota do zapłaty PayPo.

W ciągu 30 dni od zakupu płacisz PayPo za swoje zakupy bez żadnych dodatkowych kosztów. Jeśli chcesz, rozkładasz swoją płatność na raty.

The constant improvements in the silicon technology have resulted in a continuous reduction of the electron devices feature size. These technological developments strongly impact in device performance. One of the most important reliability issues in the last technological nodes is the Random Telegraph Noise (RTN). This is phenomenon affects the threshold voltage (VT) of the memory cell. A physics-based statistical model is presented and validated. Beyond the 60nm technology node, the granularity of the charge stored in the device is not more negligible and this fact influences the accuracy to perform the program operation. The statistical nature of the electrons injection into the floating gate spreads the VT distribution of the array cells. The feature size reduction affects negatively the distribution and it becomes more and more difficult to control the cell VT by the program algorithm. Another issue in sub-100nm technologies concerns the cell-to-cell interference. The VT loss displays a dependence on the program pattern of the adjacent cells. All these phenomena contribute all together to corrupt the data stored, causing the memory failure and thus the worn-out.

EAN: 9783639293616

Producent

OmniScriptum GmbH & Co. KG

Kod produktu

237EYX03527KS

Rok wydania

2010

Elementy

180

Oprawa

Oprawa Skórzana

Miekka

Format